ASDM68N80KQ-R دیتاشیت

ASDM68N80KQ-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM68N80KQ-R
حجم فایل 70.974 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ASDM68N80KQ-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM68N80KQ-R
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 120W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 70nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 68V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3360pF@34V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 540pF@34V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.7mΩ@10V,30A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه